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IMZA120R007M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZA120R007M1HXKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark32AK4933
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZA120R007M1HXKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark32AK4933
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id225
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.007
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia750
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
IMZA120R007M1HXKSA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET. Potential applications include general purpose drives (GPD), EV charging, online UPS/industrial UPS, string inverter, solar power optimizer.
- Very low switching losses
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- Drain-source voltage is 1200V at Tvj ≥ 25°C
- Drain-source on-state resistance is 7mohm typ at Tvj = 25°C, VGS(on) = 18V, ID = 108A
- PG-TO247-4-U02 package
- Storage temperature range from -55 to 150°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2
Disipación de Potencia
750
Rango de Producto
CoolSiC Trench Series
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
225
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.007
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto