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IMZA120R053M2HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 38 A, 1.2 kV, 0.069 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZA120R053M2HXKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark39AM8785
Rango de ProductoCoolSiC Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $13.230 |
| 10+ | $8.250 |
| 25+ | $8.100 |
| 50+ | $7.940 |
| 100+ | $7.790 |
| 250+ | $7.590 |
| 500+ | $7.390 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZA120R053M2HXKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark39AM8785
Rango de ProductoCoolSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id38
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.069
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.1
Disipación de Potencia182
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
38
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.069
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
182
Rango de Producto
CoolSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto