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IPB016N06L3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 180 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB016N06L3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante8 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2001
Cinta adhesiva50Y2001
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.560 | $5.56 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.56 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.560 |
| 10+ | $3.410 |
| 25+ | $3.150 |
| 50+ | $2.900 |
| 100+ | $2.630 |
| 250+ | $2.470 |
| 500+ | $2.300 |
| 1000+ | $2.160 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB016N06L3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante8 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2001
Cinta adhesiva50Y2001
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id180
Resistencia de Activación Rds(on)0.0012ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0016
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia Pd250W
Disipación de Potencia250
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
Transistor de potencia Optima's ™ 3 ideal para aplicaciones de conmutación rápida. Las aplicaciones típicas incluyen rectificación síncrona, microinversores solares, convertidores CD-CD aislados, control de motores para sistemas de 12-48 V, interruptores Or-ing.
- Tecnología optimizada para convertidores CD/CD.
- Excelente carga de puerta x producto R DS (encendido) (FOM)
- R DS de muy baja resistencia (activado)
- Mayor eficiencia del sistema
- Se requiere menos paralelismo
- Aumento de la densidad de potencia
- Reducción de costos del sistema
- Sobreimpulso de muy bajo voltaje
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0012ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
250W
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
180
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0016
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
Disipación de Potencia
250
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPB016N06L3GATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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