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IPB017N06N3GATMA1
MOSFET POT, CANAL N, 60V, 180A
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB017N06N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark60R2643
También conocido comoIPB017N06N3 G, SP000434404
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|---|---|
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| 25+ | $2.220 |
| 50+ | $2.090 |
| 100+ | $1.820 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB017N06N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark60R2643
También conocido comoIPB017N06N3 G, SP000434404
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id180
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1700µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0013ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd250W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia250
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IPB017N06N3GATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
The IPB017N06N3 G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
180
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0013ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
250W
Disipación de Potencia
250
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1700µohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto