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IPB026N06NATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB026N06NATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2002RL
Cinta adhesiva50Y2002
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398 En Stock
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.030 | $5.03 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.03 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.030 |
| 50+ | $2.760 |
| 100+ | $2.540 |
| 250+ | $2.380 |
| 500+ | $2.200 |
| 1000+ | $2.160 |
| 2500+ | $2.120 |
| 5000+ | $2.080 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB026N06NATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2002RL
Cinta adhesiva50Y2002
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0026
Resistencia de Activación Rds(on)0.0023ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia136
Disipación de Potencia Pd136W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
Transistor de potencia Optima's™ 5 optimizado para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), como las que se encuentran en servidores, computadoras de escritorio y cargadores de tabletas. Además, este dispositivo es una opción perfecta para una amplia gama de aplicaciones industriales, incluido el control de motores, el microinversor solar y el convertidor CD-CD de conmutación rápida.
- Probado avalancha 100%
- Resistencia térmica superior
- Mayor eficiencia del sistema
- Se requiere menos paralelismo
- Aumento de la densidad de potencia
- Reducción de costos del sistema
- Sobreimpulso de muy bajo voltaje
- Canal N, nível normal
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0026
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
136
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0023ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
Disipación de Potencia Pd
136W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto