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IPB033N10N5LFATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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1,864 En Stock
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $6.460 | $6.46 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $6.46 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.460 |
| 10+ | $4.580 |
| 25+ | $4.230 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB033N10N5LFATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante8 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)93AC7099
Cinta adhesiva93AC7099
Rango de ProductoOptiMOS 5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id120
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0033
Resistencia de Activación Rds(on)0.0027ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.3
Disipación de Potencia Pd179W
Disipación de Potencia179
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS 5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
IPB033N10N5LFATMA1 is a 100V OptiMOSTM5LinearFET ideal for hot-swap and e-fuse applications.
- Very low on-resistance RDS(on)
- Wide safe operating area SOA
- N-channel, normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0033
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
179W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS 5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
120
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0027ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.3
Disipación de Potencia
179
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPB033N10N5LFATMA1
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto