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IPB035N08N3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 100 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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30 En Stock
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.570 | $5.57 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.57 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.570 |
| 10+ | $3.710 |
| 25+ | $3.350 |
| 50+ | $3.000 |
| 100+ | $2.650 |
| 250+ | $2.430 |
| 500+ | $2.200 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB035N08N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9026
Cinta adhesiva13AC9026
Rango de ProductoOptiMOS 3
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0035
Resistencia de Activación Rds(on)0.0028ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia214
Disipación de Potencia Pd214W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS 3
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Transistor de potencia Optima's ™ 3 ideal para aplicaciones de conmutación rápida. Las aplicaciones típicas incluyen rectificación síncrona, microinversores solares, convertidores CD-CD aislados, control de motores para sistemas de 12-48 V, interruptores Or-ing.
- Tecnología optimizada para convertidores CD-CD.
- Excelente carga de puerta x producto R DS (ON) (FOM)
- Resistencia térmica superior
- Refrigeración de doble cara
- Inductancia parásita baja
- Perfil bajo (<lt/>0.7mm)
- Canal N, nivel normal
- Probado avalancha 100%
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0035
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
214
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS 3
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0028ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
Disipación de Potencia Pd
214W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto