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IPB117N20NFDATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 84 A, 0.0117 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB117N20NFDATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)97Y1821RL
Cinta adhesiva97Y1821
Rango de ProductoOptiMOS FD
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191 En Stock
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $7.670 | $7.67 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $7.67 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.670 |
| 50+ | $7.600 |
| 100+ | $7.520 |
| 250+ | $7.440 |
| 500+ | $7.100 |
| 1000+ | $6.750 |
| 2500+ | $6.230 |
| 5000+ | $5.680 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB117N20NFDATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)97Y1821RL
Cinta adhesiva97Y1821
Rango de ProductoOptiMOS FD
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id84
Resistencia de Activación Rds(on)0.0103ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0117
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd300W
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS FD
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia OptiMOS™ FD de 200V
- Canal-N, nível nominal
- Diodo rápido (FD) con Qrr reducido
- Optimizado para la dureza de conmutación dura
- RDS de muy baja resistencia (activado)
- Temperatura de operación de 175°C
- Calificado según JEDEC para aplicación obejtivo.
- Libre de halógenos según IEC61249-2-21
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0103ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
300W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS FD
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
84
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0117
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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