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IPB407N30NATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 300 V, 44 A, 0.0407 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB407N30NATMA1Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)39AH8897RL
Cinta adhesiva39AH8897
Rango de ProductoOptiMOS
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds300
Intensidad Drenador Continua Id44
Resistencia de Activación Rds(on)0.036ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0407
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia300
Disipación de Potencia Pd300W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
300
Resistencia de Activación Rds(on)
0.036ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
300
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
44
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0407
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia Pd
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto