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IPD025N06NATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 90 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD025N06NATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5187
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2018RL
Cinta adhesiva50Y2018
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $3.220 | $16.10 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $16.10 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $3.220 |
| 10+ | $2.080 |
| 15+ | $1.920 |
| 25+ | $1.750 |
| 50+ | $1.590 |
| 125+ | $1.420 |
| 250+ | $1.290 |
| 500+ | $1.170 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $1.110 |
| 7500+ | $1.050 |
| 12500+ | $1.030 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD025N06NATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5187
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2018RL
Cinta adhesiva50Y2018
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id90A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0021ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0025
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia167W
Disipación de Potencia Pd167W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia OptiMOS ™ de 60 V
- Optimizado para rectificación síncrona
- Probado avalancha 100%
- Resistencia térmica superior
- Canal-N, nível nominal
- Calificado según JEDEC para aplicación obejtivo.
- Libre de halógenos según IEC61249-2-21
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0021ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
167W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
90A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0025
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Disipación de Potencia Pd
167W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IPD025N06NATMA1
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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