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IPD042P03L3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 7 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD042P03L3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo97Y9248
Re-reeling (Rollos a medida)43AC3266RL
Cinta adhesiva43AC3266
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.570 | $2.57 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.57 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.570 |
| 50+ | $1.250 |
| 100+ | $1.120 |
| 250+ | $1.010 |
| 500+ | $0.894 |
| 1000+ | $0.876 |
| 2500+ | $0.858 |
| 5000+ | $0.840 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.989 |
| 7500+ | $0.920 |
| 12500+ | $0.902 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD042P03L3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo97Y9248
Re-reeling (Rollos a medida)43AC3266RL
Cinta adhesiva43AC3266
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id7A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0035ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0042
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia150W
Disipación de Potencia Pd150W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de Potencia OptiMOS™ 3
- Canal P único (nivel lógico)
- Modo mejorado
- Calificado según JEDEC para aplicación obejtivo.
- Temperatura de operación de 175°C
- Aplicaciones: interruptor de carga, interruptor HS
- Libre de halógenos según IEC61249-2-21
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0035ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
150W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0042
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
Disipación de Potencia Pd
150W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPD042P03L3GATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto