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IPD082N10N3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 80 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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1,742 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.790 | $2.79 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.79 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.790 |
| 50+ | $1.370 |
| 100+ | $1.230 |
| 250+ | $1.100 |
| 500+ | $0.983 |
| 1000+ | $0.962 |
| 2500+ | $0.943 |
| 5000+ | $0.923 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.835 |
| 7500+ | $0.762 |
| 12500+ | $0.747 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD082N10N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo99AK9888
Re-reeling (Rollos a medida)12AC9706RL
Cinta adhesiva12AC9706
Rango de ProductoOptiMOS 3
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id80A
Resistencia de Activación Rds(on)0.007ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0082
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7V
Disipación de Potencia Pd125W
Disipación de Potencia125W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS 3
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia OptiMOS™ 3
- Canal N, nivel normal
- Excelente carga de puerta x producto RDS (on) (FOM)
- R DS de muy baja resistencia (activado)
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino.
- Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.007ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
125W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS 3
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
80A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0082
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IPD082N10N3GATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto