Imprimir página
IPD200N15N3GATMA1
MOSFET POT, CANAL N, 150V, 50A
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD200N15N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5204
Re-reeling (Rollos a medida)60R2704RL
Cinta adhesiva60R2704
También conocido comoIPD200N15N3 G, SP001127820
Su número de pieza
31,546 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.970 | $2.97 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.97 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.970 |
| 50+ | $1.870 |
| 100+ | $1.440 |
| 250+ | $1.360 |
| 500+ | $1.270 |
| 1000+ | $1.210 |
| 2500+ | $1.100 |
| 5000+ | $1.080 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $1.050 |
| 7500+ | $0.986 |
| 12500+ | $0.966 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD200N15N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5204
Re-reeling (Rollos a medida)60R2704RL
Cinta adhesiva60R2704
También conocido comoIPD200N15N3 G, SP001127820
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id50A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.016ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd150W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia150W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IPD200N15N3 G es un MOSFET de potencia de canal N de 150 V que logra una reducción en RDS (encendido) del 40% y del 45% en la Figura de Mérito (FOM). El MOSFET OptiMOS™ ofrece una alta eficiencia del sistema y el RDS (on) más bajo de la industria dentro de las clases de voltaje. Es ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y tecnología optimizada para convertidores CD-CD.
- Excelente rendimiento de conmutación
- Amigable con el medio ambiente
- Eficiencia incrementada
- La más alta densidad de potencia
- Se requiere menos paralelismo
- Menor consumo de espacio de tablero
- Fácil de diseñar
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
150W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
50A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.016ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
150W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IPD200N15N3GATMA1
2 productos encontrados
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto