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IPD30N06S4L23ATMA2
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 30 A, 23 mohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD30N06S4L23ATMA2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5207
Re-reeling (Rollos a medida)49AC0292RL
Cinta adhesiva49AC0292
Rango de ProductoOptiMOS T2
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5,707 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.520 | $7.60 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $7.60 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.520 |
| 50+ | $0.956 |
| 100+ | $0.634 |
| 250+ | $0.564 |
| 500+ | $0.494 |
| 1000+ | $0.449 |
| 2500+ | $0.401 |
| 5000+ | $0.368 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.382 |
| 5000+ | $0.368 |
| 10000+ | $0.351 |
| 15000+ | $0.350 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD30N06S4L23ATMA2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5207
Re-reeling (Rollos a medida)49AC0292RL
Cinta adhesiva49AC0292
Rango de ProductoOptiMOS T2
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id30A
Resistencia de Activación Rds(on)0.018ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente23
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia36
Disipación de Potencia Pd36W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS T2
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia Optima's® -T2
- Canal N, modo de mejora
- Calificación AEC Q101 de grado automotriz
- Probado avalancha 100%
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.018ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
36
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS T2
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
23
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
Disipación de Potencia Pd
36W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto