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IPD30N10S3L34ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 30 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD30N10S3L34ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79X1436
Cinta adhesiva79X1436
También conocido comoIPD30N10S3L-34, SP000261248
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.600 | $1.60 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.60 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.600 |
| 10+ | $1.380 |
| 25+ | $1.240 |
| 50+ | $1.130 |
| 100+ | $0.938 |
| 250+ | $0.833 |
| 500+ | $0.722 |
| 1000+ | $0.692 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD30N10S3L34ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79X1436
Cinta adhesiva79X1436
También conocido comoIPD30N10S3L-34, SP000261248
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.031
Resistencia de Activación Rds(on)0.0258ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd57W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia57
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IPD30N10S3L-34 es un MOSFET de modo de mejora de canal N con las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para una mayor eficiencia térmica.
- Calificado AEC-Q101
- MSL1 hasta 260°C reflujo máximo
- Dispositivo verde
- 100% prueba de avalancha
- Paquetes robustos con calidad y confiabilidad superiores
- La carga total optimizada de la puerta permite etapas de salida del controlador más pequeñas
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.031
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
57W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0258ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
57
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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