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IPD78CN10NGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 13 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD78CN10NGATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5234
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2042RL
Cinta adhesiva50Y2042
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2,852 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.480 | $7.40 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $7.40 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.480 |
| 10+ | $0.934 |
| 15+ | $0.854 |
| 25+ | $0.774 |
| 50+ | $0.694 |
| 125+ | $0.617 |
| 250+ | $0.549 |
| 500+ | $0.481 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.389 |
| 7500+ | $0.348 |
| 12500+ | $0.341 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD78CN10NGATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5234
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2042RL
Cinta adhesiva50Y2042
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id13A
Resistencia de Activación Rds(on)0.059ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.078ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd31W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia31W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.059ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
13A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.078ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
31W
Disipación de Potencia
31W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IPD78CN10NGATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto