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IPG20N04S408AATMA1
MOSFET Doble, Canal N, 40 V, 20 A, 0.007 ohms, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG20N04S408AATMA1Copiar
No. Parte Newark34AC1695
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
Su número de pieza
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|---|---|---|
| 1+ | $59.000 | $0.617 |
| 10+ | $38.200 | $0.617 |
| 25+ | $34.200 | $0.617 |
| 50+ | $30.200 | $0.617 |
| 100+ | $26.400 | $0.617 |
| 250+ | $23.600 | $0.617 |
| 500+ | $21.200 | $0.617 |
| 1000+ | $19.420 | $0.617 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG20N04S408AATMA1Copiar
No. Parte Newark34AC1695
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40
Intensidad Drenador Continua Id20A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P20
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.007
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.007
Diseño de TransistorTDSON
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N65
Disipación de Potencia de Canal P65
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Resumen del producto
- Transistor de potencia OptiMOS® -T2
- Nivel normal de doble canal N - modo de mejora
- Automotriz calificado AEC Q101
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Probado avalancha 100%
- Factible para inspección óptica automática (AOI)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
20
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.007
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
65
Rango de Producto
OptiMOS T2 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
20
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.007
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia de Canal N
65
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto