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IPG20N06S2L35ATMA1
MOSFET Doble, Canal N, 55 V, 20 A, 0.028 ohms, TDSON, Montaje Superficial
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No. Parte Newark01AC4877RL
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Información del producto
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Hoja de datos técnicos
Resumen del producto
- Transistor de potencia OptiMOS™
- Nivel lógico de doble canal N - modo de mejora
- Automotriz calificado AEC Q101
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Probado avalancha 100%
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
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