Imprimir página
IPG20N06S4L26ATMA1
MOSFET Dual, Canal N, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG20N06S4L26ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5252
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2049
Cinta adhesiva50Y2049
También conocido comoIPG20N06S4L-26, SP000705588
Su número de pieza
7,993 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.060 | $2.06 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.06 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.060 |
| 10+ | $1.310 |
| 25+ | $1.160 |
| 50+ | $1.020 |
| 100+ | $0.874 |
| 250+ | $0.782 |
| 500+ | $0.690 |
| 1000+ | $0.631 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5000+ | $0.469 |
| 10000+ | $0.446 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG20N06S4L26ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5252
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2049
Cinta adhesiva50Y2049
También conocido comoIPG20N06S4L-26, SP000705588
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N20A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P20A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.021ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.021ohm
Diseño de TransistorTDSON
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N33W
Disipación de Potencia de Canal P33W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IPG20N06S4L-26 is an OptiMOS™-T2 dual N-channel enhancement-mode Power Transistor for direct fuel injection, ABS valves, solenoid control and load switch applications.
- Logic level
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Larger source lead-frame connection for wire bonding
- Same thermal and electrical performance as a DPAK with the same die size
- Exposed pad provides excellent thermal transfer (varies by die size)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
20A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.021ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
33W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
20A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.021ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia de Canal N
33W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto