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IPG20N10S4L22ATMA1
MOSFET Doble, Canal N, 100 V, 20 A, 0.02 ohms, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG20N10S4L22ATMA1
No. Parte Newark13AC9059
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG20N10S4L22ATMA1
No. Parte Newark13AC9059
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N20A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P20A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.02ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.02ohm
Diseño de TransistorTDSON
Núm. de Contactos8Pines
Disipación de Potencia de Canal N60W
Disipación de Potencia de Canal P60W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IPG20N10S4L22ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El IPG20N10S4L22ATMA1 es un transistor de potencia OptiMOS™-T2. Las aplicaciones incluyen el sistema de gestión de baterías de automóviles (BMS), la inyección directa diésel, la inyección multipuerto de gasolina y la carga inalámbrica en la cabina.
- Aprobado por AEC Q101
- Probado avalancha 100%
- Factible para inspección óptica automática (AOI)
- Encapsulado PG-TDSON-8-10
- La corriente de drenaje continuo de un canal activo es de 20A a TC=25 °C, VGS=10V
- El voltaje de la fuente de la puerta es ±16V a Tj=25 °C
- Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento de -55 a +175 °C
- El voltaje de ruptura de la fuente de drenaje es de 100V a VGS=0V, ID= 1mA, Tj=25 °C
- La resistencia en estado encendido de la fuente de drenaje es de 24 mohm a VGS=4.5V, I D=10 A, Tj=25 °C
- La carga de la puerta a la fuente es de 4.3nC a VDD=80V, ID=20A, VGS=0 a 10V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
20A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.02ohm
Núm. de Contactos
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
60W
Rango de Producto
OptiMOS T2 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
20A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.02ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia de Canal N
60W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto