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IPG20N10S4L22ATMA1
MOSFET Doble, Canal N, 100 V, 20 A, 0.02 ohms, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG20N10S4L22ATMA1
No. Parte Newark13AC9059
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG20N10S4L22ATMA1
No. Parte Newark13AC9059
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P100
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P20
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.02
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.02
Diseño de TransistorTDSON
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N60
Disipación de Potencia de Canal P60
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IPG20N10S4L22ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El IPG20N10S4L22ATMA1 es un transistor de potencia OptiMOS™-T2. Las aplicaciones incluyen el sistema de gestión de baterías de automóviles (BMS), la inyección directa diésel, la inyección multipuerto de gasolina y la carga inalámbrica en la cabina.
- Aprobado por AEC Q101
- Probado avalancha 100%
- Factible para inspección óptica automática (AOI)
- Encapsulado PG-TDSON-8-10
- La corriente de drenaje continuo de un canal activo es de 20A a TC=25 °C, VGS=10V
- El voltaje de la fuente de la puerta es ±16V a Tj=25 °C
- Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento de -55 a +175 °C
- El voltaje de ruptura de la fuente de drenaje es de 100V a VGS=0V, ID= 1mA, Tj=25 °C
- La resistencia en estado encendido de la fuente de drenaje es de 24 mohm a VGS=4.5V, I D=10 A, Tj=25 °C
- La carga de la puerta a la fuente es de 4.3nC a VDD=80V, ID=20A, VGS=0 a 10V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
100
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
20
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.02
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
60
Rango de Producto
OptiMOS T2 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
20
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.02
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia de Canal N
60
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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