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IPL60R065P7AUMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPL60R065P7AUMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark49AC8000
Rango de ProductoCoolMOS P7
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $9.670 |
| 10+ | $6.550 |
| 25+ | $5.960 |
| 50+ | $5.370 |
| 100+ | $4.770 |
| 250+ | $4.690 |
| 500+ | $4.620 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPL60R065P7AUMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark49AC8000
Rango de ProductoCoolMOS P7
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id41
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065
Resistencia de Activación Rds(on)0.053ohm
Diseño de TransistorVSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia201
Disipación de Potencia Pd201W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS P7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
600V CoolMOS™ P7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle suitable for use in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages for e.g. PC silverbox, adapter, LCD & PDP TV, lighting, server, telecom and UPS.
- Suitable for hard and soft switching due to an outstanding commutation ruggedness
- Significant reduction of switching and conduction losses
- Excellent ESD robustness <gt/>2KV (HBM) for all products
- Best in class RDS(on)/package
- Ease of use and fast design-in through low ringing tendency and usage across PFC and PWM stages
- Simplified thermal management due to low switching and conduction losses
- Increased power density solutions
- Suitable for a wide variety of applications and power ranges
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065
Diseño de Transistor
VSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
201
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
CoolMOS P7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
41
Resistencia de Activación Rds(on)
0.053ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Disipación de Potencia Pd
201W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto