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IPN50R650CEATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 9 A, 0.65 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPN50R650CEATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)97Y1829RL
Cinta adhesiva97Y1829
Rango de ProductoCoolMOS CE
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308 En Stock
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.070 | $1.07 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.07 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.070 |
| 50+ | $0.805 |
| 100+ | $0.611 |
| 250+ | $0.557 |
| 500+ | $0.501 |
| 1000+ | $0.453 |
| 2500+ | $0.426 |
| 5000+ | $0.400 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPN50R650CEATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)97Y1829RL
Cinta adhesiva97Y1829
Rango de ProductoCoolMOS CE
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id9
Resistencia de Activación Rds(on)0.59ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.65
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)13
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd5W
Disipación de Potencia5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS CE
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
Transistor de potencia CoolMOS™ CE de 500V, una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alto voltaje. Diseñado según el principio de superjunción (SJ) y adecuado para adaptador, cargador e iluminación.
- Pérdidas extremadamente bajas debido a muy bajas DE Edson * Qg y Ross
- Muy alta robustez de conmutación
- Fácil de usar/manejar
- Compuesto de molde libre de halógenos
- Calificado para aplicaciones de grado estándar
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
0.59ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
13
Disipación de Potencia Pd
5W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS CE
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.65
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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