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IPP042N03LGXKSA1
MOSFET, N CH, 70 A, 30V, PG-TO220-3
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP042N03LGXKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark60R2736
También conocido comoIPP042N03L G, SP000680792
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.460 |
| 10+ | $1.260 |
| 100+ | $0.966 |
| 500+ | $0.853 |
| 1000+ | $0.743 |
| 2500+ | $0.603 |
| 10000+ | $0.584 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP042N03LGXKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark60R2736
También conocido comoIPP042N03L G, SP000680792
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id80A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4200µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0035ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd79W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia79W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
El IPP042N03L G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ que establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética. Se adapta a las necesidades de administración de energía mediante un comportamiento EMI mejorado, así como una mayor duración de la batería. Está disponible en configuración de medio puente.
- Mayor vida útil de la batería
- Comportamiento EMI mejorado que hace obsoletas las redes de amortiguadores externos
- Ahorro de espacio
- Reducir las pérdidas de energía
- Tecnología optimizada para convertidores de CD a CD
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Nivel lógico
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- RDS de muy baja resistencia a la conexión (ON)
- Avalancha clasificada
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
80A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0035ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
79W
Disipación de Potencia
79W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4200µohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto