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IPT007N06NATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPT007N06NATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5273
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2078RL
Cinta adhesiva50Y2078
También conocido comoIPT007N06N, SP001100158
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3,211 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $7.230 | $7.23 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $7.23 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.230 |
| 50+ | $4.240 |
| 100+ | $4.000 |
| 250+ | $3.750 |
| 500+ | $3.500 |
| 1000+ | $3.310 |
| 2500+ | $3.240 |
| 5000+ | $3.180 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2000+ | $2.940 |
| 6000+ | $2.880 |
| 10000+ | $2.820 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPT007N06NATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5273
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2078RL
Cinta adhesiva50Y2078
También conocido comoIPT007N06N, SP001100158
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id300A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente750µohm
Resistencia de Activación Rds(on)660µohm
Diseño de TransistorHSOF
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd375W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia375W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
IPT007N06NATMA1 is a N-channel power MOSFET optimized for high current applications. This new package is a perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behavior as well as best thermal behavior and space reduction are required.
- Industry's lowest R DS(on)
- Highest current capability up to 300A
- Very low package parasitic and inductances
- Less paralleling and cooling required
- Highest system reliability
- Enabling very compact design
- 100% avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
750µohm
Diseño de Transistor
HSOF
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
300A
Resistencia de Activación Rds(on)
660µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
375W
Disipación de Potencia
375W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto