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IPT020N10N3ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, HSOF, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPT020N10N3ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2079
Cinta adhesiva50Y2079
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.970 | $5.97 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.97 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.970 |
| 10+ | $3.800 |
| 25+ | $3.490 |
| 50+ | $3.160 |
| 100+ | $2.840 |
| 250+ | $2.690 |
| 500+ | $2.530 |
| 1000+ | $2.440 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPT020N10N3ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2079
Cinta adhesiva50Y2079
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id300
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorHSOF
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7
Disipación de Potencia375
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IPT020N10N3 is a N-channel Power MOSFET optimized for high current applications. This new package is a perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required.
- Industry‘s lowest R DS(on)
- Highest current capability up to 300A
- Very low package parasitic and inductances
- Less paralleling and cooling required
- Highest system reliability
- Enabling very compact design
- Normal level
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Extremely low ON-resistance RDS (ON)
- High current capability
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2000µohm
Diseño de Transistor
HSOF
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
300
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
375
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPT020N10N3ATMA1
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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