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IR2117STRPBF
Controlador de Compuerta, 1 Canales, Lado Alto, IGBT, MOSFET, 8 Pines, SOIC
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.470 |
| 10+ | $1.240 |
| 25+ | $1.240 |
| 50+ | $1.240 |
| 100+ | $1.240 |
| 250+ | $1.150 |
| 500+ | $1.080 |
| 1000+ | $1.080 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIR2117STRPBF
No. Parte Newark64AH3730
Hoja de datos técnicos
Núm. de Canales1Canales
Tipo de Controlador de Compuerta-
Configuración del ControladorLado Alto
Tipo de Interruptor de PotenciaIGBT, MOSFET
Tipo de Controlador0
Núm. de Contactos8Pines
Estuche / Paquete CISOIC
IC, MontajeSurface Mount
Tipo de EntradaNo Inversor
Corriente Fuente250mA
Corriente Sumidero500mA
Tensión de Alimentación Mín.10V
Tensión de Alimentación Máx.20V
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Retardo de Entrada125ns
Retardo de Salida105ns
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 2 - 1 year
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
IR2117STRPBF is a high voltage, high-speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch-immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high or low side configuration which operates up to 600V.
- Floating channel designed for bootstrap operation, fully operational to +600V
- Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune, undervoltage lockout
- Gate drive supply range from 10 to 20V
- CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
- Output in phase with input
- Output high short circuit pulsed current is 200mA min (VO=0V, VIN=Logic “1”, PW ≤ 10µs)
- Output low short circuit pulsed current is 420mA min (VO=15V, VIN=Logic “0”, PW ≤ 10µs)
- Turn-on propagation delay is 125ns typ (VS=0V, VBIAS (VCC, VBS)=15V, CL=1000pF and TA=25°C)
- Turn-off propagation delay is 105ns typ (VS=600V, CL=1000pF and TA=25°C)
- 8 lead SOIC package, ambient temperature range from -40 to 125°C
Especificaciones técnicas
Núm. de Canales
1Canales
Configuración del Controlador
Lado Alto
Tipo de Controlador
0
Estuche / Paquete CI
SOIC
Tipo de Entrada
No Inversor
Corriente Sumidero
500mA
Tensión de Alimentación Máx.
20V
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Retardo de Salida
105ns
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Controlador de Compuerta
-
Tipo de Interruptor de Potencia
IGBT, MOSFET
Núm. de Contactos
8Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Corriente Fuente
250mA
Tensión de Alimentación Mín.
10V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Retardo de Entrada
125ns
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 2 - 1 year
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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