IR2130STRPBF

El IR2130STRPBF es un controlador de puente MOSFET e IGBT de alto voltaje y alta velocidad con tres canales de salida independientes con referencia a lado alto y bajo. La tecnología HVIC patentada permite una construcción monolítica robusta. La entrada lógica es compatible con salidas CMOS o LSTTL, hasta lógica de 2.5V. Un amplificador operacional con referencia a tierra proporciona retroalimentación analógica de la corriente del puente a través de una resistencia de detección de corriente externa. Una función de disparo por corriente que termina las seis salidas también se deriva de esta resistencia. Una señal de FALLO por drenaje abierto indica si se ha producido una desconexión por sobrecorriente o subtensión. El controlador de salida presenta una etapa de buffer de corriente de alto pulso diseñada para una conducción cruzada mínima del conductor. El retardo de propagación se ajusta para simplificar su uso a altas frecuencias. Los canales flotantes pueden utilizarse para controlar MOSFETs de potencia de canal N o IGBTs en configuración de lado alto, que operan hasta 600V.

• Canal flotante diseñado para operación bootstrap, totalmente operativo hasta +600V.
• Tolerante a sobrevoltajes transitorios negativos, inmune a dV/dt, bloqueo por subtensión para ambos canales.
• Alimentación de control de puerta de 10 a 20V, lógica de prevención de conducción cruzada, tiempo muerto típico de 2.5µs (TA=25 °C).
• El apagado por sobrecorriente desactiva los seis controladores, controladores de medio puente independientes.
• Retardo de propagación uniforme para todos los canales, compatible con lógica de 2.5V, salidas desfasadas con respecto a las entradas.
• Corriente de pulso de cortocircuito alta de salida: 200mA mín. (VO = 0V, VIN = 0V, PW ≤ 10µs).
• Corriente de pulso de cortocircuito baja de salida: 420mA mín. (VO = 15V, VIN = 5V, PW ≤ 10µs).
• Retardo de propagación de encendido: 675ns típico (VBIAS (VCC, VBS1,2,3) = 15V, VS0,1,2,3 = VSS, CL = 1000pF, TA = 25 °C).
• Retardo de propagación de apagado: 425ns típico (VBIAS (VCC, VBS1,2,3) = 15V, CL = 1000pF, TA = 25 °C).
• Encapsulado SOIC de 28 pines, rango de temperatura ambiente de -40 a 125 °C.