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IRF1010EPBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1010EPBF.Copiar
No. Parte Newark27AC6858
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id84
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.012
Resistencia de Activación Rds(on)0.012ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd170W
Diseño de TransistorTO-220AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia170
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IRF1010EPBF is a 60V single N-channel HEXFET Power MOSFET with advanced process technology. Advanced HEXFET® power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Ultra low on-resistance
- Dynamic dv/dt rating
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Industry-leading quality
- Planar MOSFET technology
- ±20V gate to source voltage
- 1.4W/°C linear derating factor
- 50A avalanche current (IAR)
- 0.75°C/W thermal resistance, junction to case
- 62°C/W thermal resistance, junction to ambient
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.012
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
170W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
84
Resistencia de Activación Rds(on)
0.012ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia
170
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF1010EPBF.
1 producto (s) encontrado (s)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto