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IRF1310NPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1310NPBFCopiar
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No. Parte Newark97K2081
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.540 |
| 10+ | $1.720 |
| 100+ | $1.240 |
| 500+ | $1.040 |
| 1000+ | $1.020 |
| 2500+ | $1.000 |
| 10000+ | $0.979 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1310NPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante34 semanas
No. Parte Newark97K2081
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id41
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.036
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia170
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
41
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.036
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
170
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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