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IRF2805PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 175 A, 0.0047 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF2805PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark38K2761
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.080 |
| 10+ | $1.700 |
| 100+ | $1.570 |
| 500+ | $1.230 |
| 1000+ | $1.190 |
| 2500+ | $1.180 |
| 5000+ | $1.160 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF2805PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark38K2761
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id175
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4700µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0047ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd330W
Disipación de Potencia330
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IRF2805PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. It features 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. This combination makes the design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Advanced process technology
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4700µohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
330W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
175
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0047ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
330
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRF2805PBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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