Imprimir página
IRF4905STRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF4905STRLPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)40M7917RL
Cinta adhesiva40M7917
Su número de pieza
19,589 En Stock
28,800 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.100 | $4.10 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.10 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.100 |
| 50+ | $2.900 |
| 100+ | $2.260 |
| 250+ | $2.250 |
| 500+ | $2.240 |
| 1000+ | $1.870 |
| 2500+ | $1.830 |
| 5000+ | $1.800 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF4905STRLPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)40M7917RL
Cinta adhesiva40M7917
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id74A
Resistencia de Activación Rds(on)0.02ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Disipación de Potencia Pd200W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia200W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRF4905STRLPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un canal P de -55 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido utilizando tecnología plana avanzada. Sus características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para una amplia variedad de otras aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificado avalancha completa
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.02ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
74A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
200W
Disipación de Potencia
200W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF4905STRLPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto