Imprimir página
IRF4905STRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF4905STRLPBF
No. Parte Newark40M7917
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
2,876 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.230 |
| 10+ | $2.980 |
| 25+ | $2.740 |
| 50+ | $2.510 |
| 100+ | $2.260 |
| 250+ | $2.160 |
| 500+ | $2.040 |
| 1600+ | $1.850 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.23
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF4905STRLPBF
No. Parte Newark40M7917
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id74
Resistencia de Activación Rds(on)0.02ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd200W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia200
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF4905STRLPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un canal P de -55 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido utilizando tecnología plana avanzada. Sus características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para una amplia variedad de otras aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificado avalancha completa
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia de Activación Rds(on)
0.02ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
74
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
200W
Disipación de Potencia
200
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto