Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
2,874 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.230 |
| 10+ | $2.960 |
| 25+ | $2.720 |
| 50+ | $2.470 |
| 100+ | $2.230 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.23
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF4905STRLPBF
No. Parte Newark40M7917
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id74A
Resistencia de Activación Rds(on)0.02ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Disipación de Potencia Pd200W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia200W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRF4905STRLPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un canal P de -55 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido utilizando tecnología plana avanzada. Sus características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para una amplia variedad de otras aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificado avalancha completa
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.02ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
74A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
200W
Disipación de Potencia
200W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto