Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

Disponible para realizar pedido
Entrega estimada luego de la confirmación del pedido.Se le cobrará en el momento del envío.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.190 |
| 10+ | $0.770 |
| 100+ | $0.546 |
| 500+ | $0.439 |
| 1000+ | $0.401 |
| 2500+ | $0.343 |
| 10000+ | $0.285 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.19
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF520NPBF.Copiar
No. Parte Newark26AC0588
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id9.7
Resistencia de Activación Rds(on)0.2ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd48W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-220AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia48
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRF520NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N con extremadamente baja resistencia a la conexión por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha completa
- Tecnología de proceso avanzada
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.2ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
9.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2
Disipación de Potencia Pd
48W
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia
48
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF520NPBF.
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
