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IRF5210STRLPBF
MOSFET de Potencia, HEXFET, Canal P, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF5210STRLPBFCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)40M7918
Cinta adhesiva40M7918
También conocido comoSP001554020
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $111.600 | $111.60 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $111.60 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $111.600 |
| 10+ | $74.200 |
| 25+ | $69.400 |
| 50+ | $64.600 |
| 100+ | $59.600 |
| 250+ | $59.000 |
| 500+ | $58.600 |
| 1600+ | $49.200 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF5210STRLPBFCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)40M7918
Cinta adhesiva40M7918
También conocido comoSP001554020
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id38A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.06ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd3.8W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia3.8W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRF5210STRLPBF es un MEXFET de potencia de canal P único HEXFET® que ofrece este diseño con una temperatura de operación de unión de 150°C, velocidad de conmutación rápida y clasificación de avalancha repetitiva mejorada. Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de otras aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Ultra baja resistencia de encendido
- Conmutación rápida
- Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
3.8W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
38A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.06ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto