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IRF540ZPBF
MOSFET de Potencia, Automotriz, Canal N, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF540ZPBF
No. Parte Newark37J1436
También conocido comoSP001561896
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.707 |
| 10+ | $0.707 |
| 100+ | $0.597 |
| 500+ | $0.555 |
| 1000+ | $0.518 |
| 3000+ | $0.506 |
| 10000+ | $0.465 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF540ZPBF
No. Parte Newark37J1436
También conocido comoSP001561896
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id36A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0265ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0265ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd92W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia92W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF540ZPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal N de 100V que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura operativa de unión de 175°C, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalancha repetitiva mejorada. Sus características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para una amplia variedad de aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Ultra baja resistencia de encendido
- Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0265ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
36A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0265ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
92W
Disipación de Potencia
92W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF540ZPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto