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IRF7317TRPBF
MOSFET Dual, Canal doble N y doble P, 20 V, 20 V, 6.6 A, 5.3 A, 0.029 ohm
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7317TRPBFCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)42Y0408
Cinta adhesiva42Y0408
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $22.200 | $22.20 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $22.20 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $22.200 |
| 10+ | $19.800 |
| 25+ | $19.560 |
| 50+ | $19.260 |
| 100+ | $19.000 |
| 250+ | $18.920 |
| 500+ | $18.840 |
| 1000+ | $12.420 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7317TRPBFCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)42Y0408
Cinta adhesiva42Y0408
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal doble N y doble P
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.6
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P5.3
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.029
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.058
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal doble N y doble P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
5.3
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.058
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.029
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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