Imprimir página
IRF8736TRPBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 18 A, 0.0039 ohm, SOIC, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para realizar pedido
Entrega estimada luego de la confirmación del pedido.Se le cobrará en el momento del envío.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 4000+ | $0.462 |
| 12000+ | $0.417 |
| 20000+ | $0.409 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 4000
Múltiple: 4000
$1,848.00
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF8736TRPBF.Copiar
No. Parte Newark27AC6913
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0039
Resistencia de Activación Rds(on)0.0039ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF8736TRPBF es un MOSFET de potencia de un solo canal N de HEXFET® que ofrece voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados. Es adecuado para la protección de la batería, el interruptor de carga del lado alto y del lado bajo, la potencia del procesador del portátil y los convertidores de CD a CD aislados.
- Baja carga de compuerta
- Probado Rg 100%
- Muy baja resistencia estática de drenaje a fuente ON a un voltaje de puerta a fuente de 4.5V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0039
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0039ohm
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRF8736TRPBF.
2 productos encontrados
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto