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IRFB4019PBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 50+ | $1.120 |
| 100+ | $1.020 |
| 150+ | $0.952 |
| 250+ | $0.885 |
| 500+ | $0.817 |
| 1250+ | $0.753 |
| 2500+ | $0.700 |
| 5000+ | $0.642 |
Precio para:Cada
Mínimo: 50
Múltiple: 50
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB4019PBF.Copiar
No. Parte Newark32AC0687
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id17
Resistencia de Activación Rds(on)0.08ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.095
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd80W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.9
Diseño de TransistorTO-220AB
Disipación de Potencia80
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0.08ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220AB
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
17
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.095
Disipación de Potencia Pd
80W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.9
Disipación de Potencia
80
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRFB4019PBF.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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