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IRFB4620PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB4620PBFCopiar
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No. Parte Newark45P3444
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.060 |
| 10+ | $2.220 |
| 100+ | $1.360 |
| 500+ | $1.090 |
| 1000+ | $1.010 |
| 2500+ | $0.940 |
| 5000+ | $0.871 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB4620PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark45P3444
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0725
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia144
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0725
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
25
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
144
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFB4620PBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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