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IRFB52N15DPBF
MOSFET, N, 150 V, 60 A, TO-220
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB52N15DPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark63J6721
También conocido comoSP001572332
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.820 |
| 10+ | $1.960 |
| 100+ | $1.710 |
| 500+ | $1.400 |
| 1000+ | $1.330 |
| 2500+ | $1.240 |
| 5000+ | $1.220 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB52N15DPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark63J6721
También conocido comoSP001572332
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia de Activación Rds(on)0.032ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.032
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd320W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia320
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRFB52N15DPBF es un MOSFET de potencia de un solo canal N de HEXFET® que ofrece una capacidad completamente caracterizada que incluye un COSS efectivo para simplificar el diseño. Es adecuado para convertidores de CD a CD de alta frecuencia y panel de pantalla de plasma.
- Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados
- Baja carga de puerta a drenaje para reducir las pérdidas de conmutación
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0.032ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.032
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
320W
Disipación de Potencia
320
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFB52N15DPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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