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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB7545PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark43X7204
También conocido comoSP001563968
Su número de pieza
2,090 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.780 |
| 10+ | $0.982 |
| 100+ | $0.845 |
| 500+ | $0.745 |
| 1000+ | $0.711 |
| 2500+ | $0.704 |
| 10000+ | $0.696 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.78
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB7545PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark43X7204
También conocido comoSP001563968
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id95
Resistencia de Activación Rds(on)0.0049ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0059
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7
Disipación de Potencia125
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRFB7545PBF es un MOSFET de potencia de canal N HEXFET® que ofrece resistencia mejorada de puerta, avalancha y dV/dt dinámico. Es adecuado para circuitos alimentados por batería, topologías de medio puente y puente completo, aplicaciones de rectificador síncrono, inversores de CD a CA, convertidores de CD a CD y de CA a CD.
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y di/dt de cuerpo de diodo mejoradas
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0049ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
95
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0059
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza IRFB7545PBF
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
