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IRFH4210DTRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 44 A, 0.0011 ohm, PQFN, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFH4210DTRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)19X2753RL
Cinta adhesiva19X2753
Rango de ProductoFastIRFET, HEXFET
También conocido comoSP001575718
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 28 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.120 | $3.12 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $3.12 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.120 |
| 50+ | $3.050 |
| 100+ | $2.990 |
| 250+ | $2.930 |
| 500+ | $2.860 |
| 1000+ | $2.810 |
| 2500+ | $2.750 |
| 5000+ | $2.680 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFH4210DTRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)19X2753RL
Cinta adhesiva19X2753
Rango de ProductoFastIRFET, HEXFET
También conocido comoSP001575718
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id44
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0011
Resistencia de Activación Rds(on)850µohm
Diseño de TransistorPQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd3.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6
Disipación de Potencia3.5
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoFastIRFET, HEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0011
Diseño de Transistor
PQFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
FastIRFET, HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
44
Resistencia de Activación Rds(on)
850µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
3.5W
Disipación de Potencia
3.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto