Imprimir página
IRFP7530PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-247AC, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP7530PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark43X7227
También conocido comoSP001560520
Su número de pieza
1,073 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.710 |
| 10+ | $4.510 |
| 25+ | $3.300 |
| 50+ | $3.010 |
| 100+ | $2.710 |
| 250+ | $2.480 |
| 500+ | $2.250 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$5.71
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP7530PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark43X7227
También conocido comoSP001560520
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id195
Resistencia de Activación Rds(on)0.00165ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.002
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd341W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7
Disipación de Potencia341
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IRFP7530PBF
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El IRFP7530PBF es un MOSFET de potencia de canal N HEXFET® que ofrece resistencia mejorada de puerta, avalancha y dV/dt dinámico. Es adecuado para circuitos alimentados por batería, topologías de medio puente y puente completo, aplicaciones de rectificador síncrono, inversores de CD a CA, convertidores de CD a CD y de CA a CD.
- Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS efectivo para simplificar el diseño
- Capacidad dV/dt y di/dt de cuerpo de diodo mejoradas
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.00165ohm
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
195
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.002
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
341W
Disipación de Potencia
341
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto