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IRFR1010ZTRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 42 A, 0.0058 ohms, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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8,806 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.520 | $2.52 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.52 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.520 |
| 10+ | $1.620 |
| 25+ | $1.470 |
| 50+ | $1.310 |
| 100+ | $1.150 |
| 250+ | $1.040 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR1010ZTRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante8 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)49AC0310
Cinta adhesiva49AC0310
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id42
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0075
Resistencia de Activación Rds(on)0.0058ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd140W
Disipación de Potencia140
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia HEXFET®
- Tecnología de proceso avanzada
- Ultra baja resistencia de encendido
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Conmutación rápida
- Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0075
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
140W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
42
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0058ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
140
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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