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IRFS4310ZTRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 120 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS4310ZTRLPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5335
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9159RL
Cinta adhesiva13AC9159
Rango de ProductoHEXFET Series
Su número de pieza
376 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.450 | $4.45 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.45 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.450 |
| 50+ | $2.450 |
| 100+ | $2.260 |
| 250+ | $2.220 |
| 500+ | $2.160 |
| 1000+ | $2.120 |
| 2500+ | $2.080 |
| 5000+ | $2.040 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 800+ | $1.830 |
| 2400+ | $1.700 |
| 4000+ | $1.660 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS4310ZTRLPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5335
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9159RL
Cinta adhesiva13AC9159
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.006
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia250W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.006
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
250W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRFS4310ZTRLPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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