Imprimir página
IRFS7530TRLPBF
MOSFET, CANAL N, 60V, 295A, TO-263
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS7530TRLPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)12AC9744
Cinta adhesiva12AC9744
Rango de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
Su número de pieza
431 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.530 | $4.53 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.53 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.530 |
| 10+ | $2.240 |
| 25+ | $2.100 |
| 50+ | $1.940 |
| 100+ | $1.810 |
| 500+ | $1.800 |
| 1600+ | $1.770 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS7530TRLPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)12AC9744
Cinta adhesiva12AC9744
Rango de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id295A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2000µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7V
Disipación de Potencia375W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
295A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
375W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRFS7530TRLPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto