Imprimir página
IRFU5305PBF
MOSFET POT, CANAL P, 55V, 22A
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFU5305PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante31 semanas
No. Parte Newark38K2689
Su número de pieza
2,295 En Stock
3,000 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.730 |
| 10+ | $0.752 |
| 100+ | $0.670 |
| 500+ | $0.555 |
| 1000+ | $0.489 |
| 2500+ | $0.462 |
| 12000+ | $0.453 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.73
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFU5305PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante31 semanas
No. Parte Newark38K2689
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id22A
Resistencia de Activación Rds(on)0.065ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065ohm
Diseño de TransistorTO-251AA
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd69W
Disipación de Potencia69W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia HEXFET® de canal N único
- Tecnología de proceso avanzada
- Ultra baja resistencia de encendido
- Conmutación rápida
- Clasificado avalancha completa
- Clasificación dv/dt dinámica
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.065ohm
Diseño de Transistor
TO-251AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
69W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
22A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
69W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto