
Información del producto
Resumen del producto
El IRG4PC30FDPBF es un transistor bipolar de puerta aislada con diodo de recuperación suave ultrarrápido. Está optimizado para frecuencias medias de operación de 1 a 5 kHz en conmutación dura, <lt/>gt /<gt/> 20 kHz en modo resonante. El diseño de generación 4 IGBT proporciona una distribución de parámetros más estricta y una mayor eficiencia que la generación 3. El IGBT se complementó con diodos antiparalelos ultrarrápidos y ultrasuaves de recuperación HEXFRED ™ para su uso en configuraciones de puentes. Los diodos HEXFRED® optimizados para el rendimiento con IGBT. Las características de recuperación minimizadas requieren menos/sin desaireación.
- Optimizado para condiciones de aplicación específicas
- Diseñado para ser un reemplazo directo para IGBTs IR de generación 3 estándar de la industria equivalentes
Especificaciones técnicas
31A
1.8
100W
600
TO-247AC
150
-
To Be Advised
31
1.59V
100
600V
3Pines
Through Hole
-
Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto
