Imprimir página
IRL3705NPBF
MOSFET POT, CANAL N, 55V, 77A
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRL3705NPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark38K3057
Su número de pieza
334 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.610 |
| 10+ | $2.340 |
| 100+ | $1.600 |
| 500+ | $1.290 |
| 1000+ | $1.180 |
| 3000+ | $1.100 |
| 5000+ | $1.010 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.61
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRL3705NPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark38K3057
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id77A
Resistencia de Activación Rds(on)0.01ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.01ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia130W
Disipación de Potencia Pd130W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia HEXFET® de canal N único
- Tecnología de proceso avanzada
- Unidad de puerta de nivel lógico
- Clasificación dv/dt dinámica
- Conmutación rápida
- Clasificado avalancha completa
- Estructura de celda planar para SOA amplio
- Calificación del producto según el estándar JEDEC
- Paquete de capacidad de transporte de alta corriente (hasta 195A, dependiendo del tamaño de la matriz)
- Capaz de ser soldado por ola
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.01ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
130W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
77A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.01ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia Pd
130W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto