Imprimir página
IRLHS6242TRPBF
MOSFET,N CH,DIODE,20V,10A,PQFN22
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 12 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.831 | $4.15 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.15 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.831 |
| 50+ | $0.517 |
| 100+ | $0.333 |
| 250+ | $0.294 |
| 500+ | $0.253 |
| 1000+ | $0.228 |
| 2500+ | $0.207 |
| 5000+ | $0.202 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 4000+ | $0.197 |
| 8000+ | $0.189 |
| 16000+ | $0.181 |
| 24000+ | $0.171 |
| 40000+ | $0.160 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLHS6242TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5405
Re-reeling (Rollos a medida)99AC3987RL
Cinta adhesiva99AC3987
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id22A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0117ohm
Diseño de TransistorDFN2020
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800mV
Disipación de Potencia9.6W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 2 - 1 year
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
DFN2020
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800mV
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 2 - 1 year
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
22A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0117ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
9.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRLHS6242TRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto